AT386907B - Halbleiteranordnung mit in einem hableiterkoerper angeordneten bipolartransistor und diode - Google Patents
Halbleiteranordnung mit in einem hableiterkoerper angeordneten bipolartransistor und diodeInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8005995A NL8005995A (nl) | 1980-11-03 | 1980-11-03 | Halfgeleiderinrichting. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ATA468281A ATA468281A (de) | 1988-03-15 |
AT386907B true AT386907B (de) | 1988-11-10 |
Family
ID=19836098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT0468281A AT386907B (de) | 1980-11-03 | 1981-11-02 | Halbleiteranordnung mit in einem hableiterkoerper angeordneten bipolartransistor und diode |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4530000A (en]) |
JP (2) | JPS57106075A (en]) |
AT (1) | AT386907B (en]) |
AU (1) | AU545211B2 (en]) |
CA (1) | CA1173568A (en]) |
DE (1) | DE3142644C2 (en]) |
FR (1) | FR2493603B1 (en]) |
GB (1) | GB2086655B (en]) |
IT (1) | IT1139664B (en]) |
NL (1) | NL8005995A (en]) |
SE (2) | SE457395B (en]) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3331631A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleiter-bauelement |
JPS60154552A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JPS6165762U (en]) * | 1984-10-03 | 1986-05-06 | ||
JPH0770539B2 (ja) * | 1985-02-01 | 1995-07-31 | サンケン電気株式会社 | トランジスタ |
CH668505A5 (de) * | 1985-03-20 | 1988-12-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiterbauelement. |
JPH0654796B2 (ja) * | 1986-07-14 | 1994-07-20 | 株式会社日立製作所 | 複合半導体装置 |
US4974260A (en) * | 1989-06-02 | 1990-11-27 | Eastman Kodak Company | Apparatus for identifying and correcting unrecognizable characters in optical character recognition machines |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5138289U (en]) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | ||
FR2302594A1 (fr) * | 1975-02-28 | 1976-09-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur integre |
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JPS5559769A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Nec Corp | Switching transistor |
-
1980
- 1980-11-03 NL NL8005995A patent/NL8005995A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-10-13 US US06/310,581 patent/US4530000A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-10-28 DE DE3142644A patent/DE3142644C2/de not_active Expired
- 1981-10-29 CA CA000389056A patent/CA1173568A/en not_active Expired
- 1981-10-29 SE SE8106377A patent/SE457395B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-10-29 SE SE8106377D patent/SE8106377L/xx not_active Application Discontinuation
- 1981-10-30 IT IT24803/81A patent/IT1139664B/it active
- 1981-10-30 FR FR8120434A patent/FR2493603B1/fr not_active Expired
- 1981-10-30 JP JP56173170A patent/JPS57106075A/ja active Pending
- 1981-10-30 GB GB8132751A patent/GB2086655B/en not_active Expired
- 1981-10-30 AU AU76994/81A patent/AU545211B2/en not_active Ceased
- 1981-11-02 AT AT0468281A patent/AT386907B/de not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-08-22 JP JP1990087079U patent/JPH0336132U/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57106075A (en) | 1982-07-01 |
NL8005995A (nl) | 1982-06-01 |
JPH0336132U (en]) | 1991-04-09 |
GB2086655B (en) | 1984-04-18 |
GB2086655A (en) | 1982-05-12 |
SE8106377L (sv) | 1982-05-04 |
AU7699481A (en) | 1982-05-13 |
US4530000A (en) | 1985-07-16 |
SE457395B (sv) | 1988-12-19 |
DE3142644C2 (de) | 1986-09-11 |
AU545211B2 (en) | 1985-07-04 |
FR2493603A1 (fr) | 1982-05-07 |
DE3142644A1 (de) | 1982-06-24 |
IT8124803A0 (it) | 1981-10-30 |
CA1173568A (en) | 1984-08-28 |
IT1139664B (it) | 1986-09-24 |
FR2493603B1 (fr) | 1986-06-20 |
ATA468281A (de) | 1988-03-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ELJ | Ceased due to non-payment of the annual fee |